Сравнение
АО «ВЗПП-С» приступило к реализации комплексного проекта «Разработка и организация серийного производства на отечественном предприятии серии n- и р-канальных полевых транзисторов с улучшенными конструктивно-техническими характеристиками для широкого применения в современной электронной аппаратуре», в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 24 июля 2021 г. № 1252 «Об утверждении Правил предоставления из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение части затрат на создание электронной компонентной базы и модулей».
Срок реализации проекта – 2022 - 2029 гг., при этом срок окончания ОКР – 2025 г.
В рамках комплексного проекта планируется осуществить разработку трёх типов полевых транзисторов:
- тип 1 – p-канальный полевой транзистор на напряжение сток-исток -60В и ток стока -31А в металлополимерном корпусе КТ-89;
- тип 2 – p-канальный полевой транзистор на напряжение сток-исток -60В и ток стока -11А в металлополимерном корпусе КТ-89;
- тип 3 – n-канальный полевой транзистор на напряжение сток-исток 30В и ток стока 3,2 А в металлополимерном корпусе КТ-46.
В рамках проекта осуществляется:
- разработка конструкции, в том числе, топологии кристалла, р-канальных полевых транзисторов в металлополимерных корпусах типа КТ-89 (типы 1, 2), n-канального полевого транзистора в металлополимерном корпусах типа КТ-46 (тип 3).
- разработка технологии изготовления n- и р-канальных полевых транзисторов в металлополимерных корпусах с улучшенными конструктивно-техническими характеристиками, в т.ч.:
- освоение 180-600 нм технологии изготовления кристаллов р-канальных полевых trench-транзисторов, рассчитанных на пробивное напряжение -60В и более на пластинах диаметром 200 мм;
- освоение 180-600 нм технологии изготовления кристаллов n-канальных полевых trench-транзисторов, рассчитанных на пробивное напряжение 30В и более на пластинах диаметром 200 мм;
- усовершенствование подхода к сборке изделий.
Основное назначение разрабатываемых транзисторов – применение в качестве силового коммутирующего элемента в радиоэлектронной аппаратуре широкого спектра конструктивно-функционального назначения.
Разрабатываемые транзисторы должны удовлетворять требованиям ГОСТ 11630 с уточнениями и дополнениями, изложенными в техническом задании.
1. Конструктивные требования
1.1.1 Транзисторы должны быть выполнены в металлополимерных корпусах типа КТ-89 (DPAK), КТ-46 (SOT-23).
1.1.2 Общий вид, габаритны, установочные и присоединительные размеры должны соответствовать требованиям ГОСТ 11630.
1.1.3 Масса транзисторов уточняются на первом этапе ОКР.
1.1.4 Транзисторы должны быть светонепроницаемы.
1.2. Требования назначения
Значения электрических параметров транзисторов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) должны соответствовать нормам, приведенным в таблице 1.
Таблица 1 - Значения электрических параметров транзисторов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости)
|
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение параметра |
Норма параметра |
Температура окружающей среды,°С |
|||||
|
Тип 1 |
Тип 2 |
Тип 3 |
||||||
|
не менее |
не более |
не менее |
не более |
не менее |
не более |
|||
|
1 |
2 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
|
Начальный ток стока, мкА |
IС.нач |
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
(UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UСИ = –60 В для тип 1; |
|
– |
|–25| |
– |
– |
– |
– |
|
|
UСИ = –60 В для тип 2; |
|
– |
– |
– |
|–25| |
– |
– |
|
|
UСИ = 30 В для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
– |
1 |
|
|
Начальный ток стока, мкА |
IС.нач |
|
|
|
|
|
|
125 ± 5 |
|
(UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UСИ = –48 В для тип 1; |
|
– |
|–250| |
– |
– |
– |
– |
|
|
UСИ = –48 В для тип 2; |
|
– |
– |
– |
|–250| |
– |
– |
|
|
UСИ = 24 В для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
– |
150 |
|
|
Начальный ток стока, мкА |
IС.нач |
|
|
|
|
|
|
–60 ± 3 |
|
(UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UСИ = –45 В для тип 1; |
|
– |
|–25| |
– |
– |
– |
– |
|
|
UСИ = –45 В для тип 2; |
|
– |
– |
– |
|–25| |
– |
– |
|
|
UСИ = 24 В для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
– |
1 |
|
|
Ток утечки затвора, нА |
IЗ.ут |
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
(UЗИ = 20 В, UСИ = 0 В; |
|
– |
100 |
– |
100 |
– |
100 |
|
|
UЗИ = –20 В, UСИ = 0 В) |
|
– |
| –100| |
– |
| –100| |
– |
| –100 | |
|
|
Пороговое напряжение, В |
UЗИ.пор |
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
UСИ = UЗИ, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IС = –250 мкА для тип 1; |
|
|–2,0| |
|–4,0| |
– |
– |
– |
– |
|
|
IС = –250 мкА для тип 2; |
|
– |
– |
|–2,0| |
|–4,0| |
– |
– |
|
|
IС = 250 мкА для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
1,0 |
2,3 |
|
|
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом |
RСИ.отк |
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UЗИ = –10 В, IС = –16 А, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 1; |
|
– |
0,060 |
– |
– |
– |
– |
|
|
UЗИ = –10 В, IС = –6,6 А, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 2; |
|
– |
– |
– |
0,150 |
|
|
|
|
UЗИ = 10 В, IС = 3,2 А, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 3; |
|
– |
– |
– |
– |
– |
0,050 |
|
|
UЗИ = 4,5 В, IС = 2,2 А, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
– |
0,090 |
|
|
Постоянное прямое напряжение диода, В |
UИС |
|
|
|
|
|
|
25 ± 10 |
|
IИ = –16 А, UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 1; |
|
– |
|–1,3| |
– |
– |
– |
– |
|
|
IИ = –7,2 А, UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 2; |
|
– |
– |
– |
|–1,6| |
– |
– |
|
|
IИ = 1,6 А, UЗИ = 0 В, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tи £ 300 мкс для тип 3. |
|
– |
– |
– |
– |
– |
1,0 |
|
В ходе ОКР допускается введение групп исполнения по нормам на основные параметры.
1.3 Предельно допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации транзисторов должны соответствовать нормам, установленным в таблице 2.
Таблица 2 – Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации
|
Наименование параметра, режима эксплуатации, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение параметра |
Предельно-допустимая норма при эксплуатации |
Примечание |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
Максимально-допустимое постоянное напряжение сток-исток, В при температуре корпуса (25±10)°С: для тип 1 для тип 2 для тип 3 |
UСИ.max
|
|–60| |–60| 30 |
1 |
|
Максимально-допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В |
UЗИ.max |
±20 |
|
|
Максимально-допустимый постоянный ток стока при tкорп = 25оС, А для тип 1 для тип 2 для тип 3 |
IС.max
|
-31 -11 3,2 |
1 |
|
Максимально-допустимый импульсный ток стока при tкорп = 25оС, А для тип 1 для тип 2 для тип 3 |
IС(и).max
|
-110 -44 10 |
1 |
|
Максимально-допустимая рассеиваемая мощность, Вт для тип 1 для тип 2 для тип 3 |
Рmax |
|
2 |
|
Максимально допустимая температура перехода, °С |
tп.max |
150 |
|
|
Примечания. 1. Значение параметра в диапазоне температур корпуса от минус 60 ˚С до плюс 125 ˚С определяется в ходе ОКР. 2. Значение параметра определяется в ходе ОКР. |
|||
План-график
реализации комплексного проекта
|
№ п/п |
Наименование ключевого события (мероприятия) |
Срок выполнения ключевого события (мероприятия) |
Результат выполнения (образец, макет, стенд, отчет и др.) с указанием требований к нему |
||||||
|
30.09.2023 |
30.09.2024 |
30.09.2025 |
30.09.2026 |
30.09.2027 |
30.09.2028 |
30.09.2029 |
|
||
|
I. Разработка продукции |
|||||||||
|
1 |
Разработка технического проекта |
+ |
|
|
|
|
|
|
Документация технического проекта. |
|
2 |
Разработка рабочих конструкторской и технологической документации, технологическая подготовка производства, изготовление опытных образцов. |
|
+ |
|
|
|
|
|
КД и ТД для изготовления опытных образцов. Опытные образцы. Технологическое оборудование и оснастка, средства испытаний и измерений. |
|
3 |
Проведение предварительных испытаний. Изготовление установочной серии. Проведение приемочных испытаний установочной серии. Приемка ОКР. Освоение промышленного производства. |
|
|
+ |
|
|
|
|
Испытательное оборудование, средства испытаний. Создание продукции в соответствии с техническим заданием: Протоколы и акт предварительных испытаний опытных образцов. КД и ТД литеры «О». Установочная серия. Акт приемочных испытаний установочной серии. Акт приемки ОКР КД и ТД литеры «А». |
|
I. Организация производства продукции и вывода на рынок |
|||||||||
|
1 |
Включение разработанной продукции в единый реестр российской радиоэлектронной продукции, созданный в соответствии с пунктом 1 постановления Правительства Российской Федерации от 10 июля 2019 г. № 878 |
|
|
|
+ |
|
|
|
Отчет о включении разработанной продукции в единый реестр российской радиоэлектронной продукции, созданный в соответствии с пунктом 1 постановления Правительства Российской Федерации от 10 июля 2019 г. № 878 |
|
2 |
Производство и реализация продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
|
|
+ |
|
|
|
Отчет о производстве и реализации продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
3 |
Производство и реализация продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
|
|
|
+ |
|
|
Отчет о производстве и реализации продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
4 |
Производство и реализация продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
|
|
|
|
+ |
|
Отчет о производстве и реализации продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
5 |
Производство и реализация продукции, разработанной в рамках комплексного проекта |
|
|
|
|
|
|
+ |
Отчет о производстве и реализации продукции, разработанной в рамках комплексного проекта, за весь период реализации комплексного проекта в объемах не менее заявленных |
Объем производства и реализации продукции, создаваемой в рамках комплексного проекта (с НДС, накопленным итогом), рублей: 111 348 000,00.
Количество вновь создаваемых и (или) модернизированных высокотехнологичных рабочих мест (накопленным итогом), единиц: 5.
Количество создаваемых результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау) (накопленным итогом), единиц: 4.
Объем экспорта продукции, созданной в рамках реализации комплексного проекта (накопленным итогом), долларов США: 0.
Для выполнения проекта планируется привлечение соисполнителя АО «Микрон» в части выполнения СЧ ОКР «Разработка технологии, КД и ТД на пластины с кристаллами заказанных элементов транзисторов, изготовление и поставка пластин с кристаллами заказанных элементов для макетных и опытных образцов двух типов р-канальных и одного типа n-канального транзисторов», шифр «Транзистор-ВЗПП-С/М» для обеспечения разрабатываемой продукции пластинами с кристаллами заказанных элементов транзисторов.
В ходе выполнения СЧ ОКР планируется:
- разработка технологии, КД и ТД на пластины с кристаллами заказанных элементов транзисторов;
- изготовление и поставка пластин с кристаллами заказанных элементов для макетных и опытных образцов двух типов р-канальных и одного типа n-канального транзисторов.
Ожидаемый результат от привлечения соисполнителя:
- технология изготовления, КД и ТД на пластины с кристаллами заказанных элементов транзисторов;
- пластины с кристаллами заказанных элементов для макетных образцов двух типов р-канальных и одного типа n-канального транзисторов;
- пластины с кристаллами заказанных элементов для опытных образцов двух типов р-канальных и одного типа n-канального транзисторов.
Разработанные изделия позволят производителям промышленной электроники, телекоммуникационного оборудования, вычислительной техники, автоэлектроники, систем безопасности и мониторинга, расчетно-кассового оборудования и приборов учета электроэнергии использовать изделия отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) в своих серийных изделиях и новых разработках.
Товар успешно добавлен в сравнение