Каталог продукции

Программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС)

Отладочные платы

Интегральные микросхемы серии 5574

Стабилизаторы напряжения серии 1334

Стабилизаторы напряжения серии 1335

Двуканальный драйвер нижнего плеча серии 1347

ШИМ-контроллер серии 5319

Микросхемы управления питанием серии 3005

Интегральные микросхемы серии 106

Интегральные микросхемы серии 134, ОС134

Интегральные микросхемы серии 1504, ОС1504

Интегральные микросхемы серии 1505, ОС1505

Интегральные микросхемы серии 1804

Стабилизаторы напряжения серии КР142

Интегральные микросхемы серии 706-1, 706-1Н

Интегральные микросхемы серии 734-1, 734-1Н

Четырехамперные двухканальные драйверы для управления затворами ДМОП и БТИЗ, с функцией ULVO серии 5342

Полевые n-канальные транзисторы

Полевые р-канальные транзисторы

Транзисторные сборки с n- и р- каналами

Комплементарные пары транзисторов с n- и р- каналами

Биполярные транзисторы

ВЧ и СВЧ мощные транзисторы

Полевые n-канальные транзисторы категории качества "ОТК"

Полевые n-канальные транзисторы (бескорпусное исполнение)

Диоды Шоттки

Быстровосстанавливающиеся диоды

Двухканальные драйвера для управления силовыми транзисторами серии К1347

Кремниевые радиационно-стойкие симметричные n-канальные полевые транзисторы 2П623А9, 2П623А91

Кремниевый эпитаксиально-планарный диод Шоттки КДШ159А9 и сборка диодная на их основе КДШ159АС9

Ограничители напряжения КР1204А9

Ограничители напряжения КР243А

Транзистор КПЕ119А9

Четырехамперные двухканальные драйверы управления затворами ДМОП и БТИЗ, с функцией UVLO серии К5342

Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах

Силовые модули на диодах Шоттки

Силовые модули на диодах Шоттки (приемка ОТК)

Модули полупроводниковые силовые М17-100-1-1 и М17-100-1-2

Модуль силовой полупроводниковый М16-5-1 УХЛЗ

Силовой модуль МД2-250-2

Силовые модули МТКП-100-1-1 и МТКП-100-1-2

GaAs p-i-n диоды

GaN транзистор (HEMT) на напряжение сток-исток 650 В и ток стока 20 А

ИМС корректора коэффициента мощности К5204МЕ014

Кремниевый полевой n-канальный транзистор на напряжение сток-исток 30 В и ток стока 20 А

Кремниевый полевой n-канальный транзистор на напряжение сток-исток 30 В и ток стока 3,2 А

Кремниевый полевой р-канальный транзистор на напряжение сток-исток (-60) В и ток стока (-11) А

Кремниевый полевой р-канальный транзистор на напряжение сток-исток (-60) В и ток стока (-31) А

Модуль полупроводниковый силовой на основе GaN HEMT транзисторов на напряжение сток-исток 650 В и ток стока 20 А (GaN FET Cascode)

Модуль полупроводниковый силовой на основе IGBT и диодах Шоттки

Модуль полупроводниковый силовой на основе диодов Шоттки

Модуль полупроводниковый силовой на полевых транзисторах