3ДВ124АС2

Подбор аналога

Программируемые логические интегральные схемы

Интегральные микросхемы

Транзисторы

Новые изделия АО «ВЗПП-С»

Силовые модули

Изделия в стадии разработки и/или освоения

GaAs p-i-n диоды

3ДВ124АС2

Документация

Параметры

Корпус

МК КТ-43G-2

ТУ

-

Uпр, В

1,95

tвос.обр, нс

45

Iобр, мА

0,03

Т, °C

(-60)÷250

Описание

GaAs p-i-n диоды в составе диодных сборок предназначенные, для работы при экстремально высоких температурах корпуса, с низкими энергопотерями и временем обратного восстановления во всем диапазоне температур.

3ДВ124АС2

Функциональные параметры

К сравнению

В Каталог

Корпус

МК КТ-43G-2

ТУ

-

Uпр, В

1,95

tвос.обр, нс

45

Iобр, мА

0,03

Т, °C

(-60)÷250

Документы для скачивания

К сравнению

В Каталог

GaAs p-i-n диоды.pdf

Товар успешно добавлен в сравнение