GaAs p-i-n диоды
Параметры
Корпус
МК КТ-28А-2
ТУ
В разработке
Аналог
2Д641ВС
IПР.СР max, А
15
UОБРmах, В
600
Uпр, В
1,75
tвос.обр, нс
45
Iобр, мА
0,03
Описание

GaAs p-i-n диоды в составе диодных сборок предназначенные, для работы при экстремально высоких температурах корпуса, с низкими энергопотерями и временем обратного восстановления во всем диапазоне температур.

Функциональные параметры
К сравнению
В Каталог
Корпус
МК КТ-28А-2
ТУ
В разработке
Аналог
2Д641ВС
IПР.СР max, А
15
UОБРmах, В
600
Uпр, В
1,75
tвос.обр, нс
45
Iобр, мА
0,03
Документы для скачивания
К сравнению
В Каталог
ГЧ МК КТ-28А-2.pdf
0

Товар успешно добавлен в сравнение