АО «ВЗПП-С» (г. Воронеж) является одним из крупнейших поставщиков элементной базы для предприятий-изготовителей радиоэлектронной продукции, средств связи и аппаратуры специального назначения.
Предприятие в 2019 году освоило производство (к уже выпускающимся ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС4Т, 5576ХС6Т, 5576ХС7Т, 5578ТС024 и 5578ТС034) программируемых логических интегральных схем: 5578ТС084 (АЕНВ.431260.422ТУ) на 800 000 системных вентилей и 5578ТС094 (АЕНВ.431260.423ТУ) на 1 200 000 системных вентилей.
С 2020 года предприятие начинает выпуск новых ПЛИС в корпусе МК 4254.352-1: 5578ТС064 (АЕНВ.431260.402ТУ) и 5578ТС104 (АЕНВ.431260.611ТУ):
ПЛИС 5578ТС064 – для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТ035, ёмкостью 16 Мбит, производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».
ПЛИС 5578ТС104 – для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТ044, ёмкостью 24 Мбит, производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».
Основные характеристики новых ПЛИС представлены в таблице.
Для проектирования используется САПР Quartus II и дополнительно ПО разработки и производства АО «КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА».
Для всей номенклатуры выпускаемых АО «ВЗПП-С» ПЛИС имеются комплекты инструментов, необходимых для разработчика.
Функциональные параметры |
5578ТС084 |
5578ТС094 |
5578ТС064 |
5578ТС104 |
Зарубежные аналоги (производитель) |
EP3C16 (Altera) |
EP3C25 (Altera) |
EP3C55 (Altera) |
EP3C40 (Altera) |
Ёмкость, количество системных вентилей |
800 000 |
1 200 000 |
3 000 000 |
2 000 000 |
Количество эквивалентных логических элементов |
15 408 |
24 624 |
55 856 |
39 600 |
Объём встроенной памяти, Кбит |
504 |
594 |
2340 |
1134 |
Количество умножителей 18×18 |
56 |
66 |
156 |
126 |
Количество блоков ФАПЧ |
4 |
|||
Интерфейс передачи данных LVDS |
Нет |
Нет |
Имеется |
Имеется, SSTL-2 Class I/II, 2,5V LVTTL/ LVCMOS |
Напряжение питания ядра |
1,2 ±0,05 В |
|||
Напряжение питания периферии |
2,5 В ±5% |
|||
Количество выводов, программируемых пользователем |
84 |
195 |
279 |
279 |
Корпусное исполнение |
МК 4248.144–1 |
МК 4251.304–2 |
МК 4254.352-1 |
Для всей номенклатуры, выпускаемых АО «ВЗПП-С» ПЛИС, имеются комплекты инструментов, необходимых для разработчика.
Разработаны и освоены в производстве новые типы быстровосстанавливающихся диодов, диодов Шоттки, транзисторных сборок, предназначенных для работы в мощных источниках питания, преобразователях напряжения и других узлах и блоках аппаратуры специального применения. Рабочая температура изделий от минус 60 °С до 125 °С.
Мощный быстровосстанавливающийся диод cо сверхмалым временем обратного восстановления 2ДВ101А
Ближайший аналог: 80EBU02
Диоды изготавливаются в металлопластмассовом корпусе КТ-115.
Основные характеристики:
Диоды Шоттки (диодная сборка) с повышенной устойчивостью к СВВФ 2ДШ201АС9
Ближайший аналог: 35CGQ150
Диодная сборка изготавливается в металлокерамическом корпусе КТ-94 (SMD-1)
Основные характеристики:
Диоды Шоттки (диодные сборки) с повышенной устойчивостью к СВВФ 2ДШ202АС, 2ДШ202АС9, 2ДШ202БС, 2ДШ202БС9
Ближайшие аналоги: 15CGQ100, 15CLQ100, 12CLQ150, 35CGQ150
Диодные сборки изготавливаются в металлокерамических корпусах КТ-94 (SMD-1), КТ-28А-2.02.
Основные характеристики:
Транзисторные сборки 2ПЕ101АС9 (два n-канальных полевых транзисторов), 2ПЕ102АС9 (два p-канальных полевых транзисторов), 2ПЕ103АС9 (комплементарная пара n- и p-канальных полевых транзисторов)
Ближайший аналог: IRF7350 фирмы IR, США
Транзисторные сборки изготавливаются металлокерамическом корпусе типа 5205.8-1 (аналог по посадочному месту корпуса типа SO-8)
Основные характеристики:
Разработана и освоена в производстве серия двухканальных драйверов нижнего плеча для управления силовыми транзисторами 1347АП1P, 1347АП1У, 1347АП2Р, 1347АП2У, 1347АП3P, 1347АП3У
Ближайшие аналоги: IR4427, IR4428, IR4426
ИМС серии 1347 являются двухканальными драйверами нижнего плеча для управления силовыми МОП-транзисторами и БТИЗ (IGBT), изготавливаются в следующих металлокерамических корпусах типа МК5205.8-2, МК 2101.8-7
Основные характеристики микросхем:
Нормы на назначения электрических параметров диодов, диодных и транзисторных сборок, драйверов управления транзисторами приведены при нормальной температуре окружающей среды.
Товар успешно добавлен в сравнение