Новости

АО «ВЗПП-С» (г. Воронеж) является одним из крупнейших поставщиков элементной базы для предприятий-изготовителей радиоэлектронной продукции, средств связи и аппаратуры специального назначения.

Предприятие в 2019 году освоило производство (к уже выпускающимся ПЛИС 5576ХС1Т, 5576ХС4Т, 5576ХС6Т, 5576ХС7Т, 5578ТС024 и 5578ТС034) программируемых логических интегральных схем: 5578ТС084 (АЕНВ.431260.422ТУ) на 800 000 системных вентилей и 5578ТС094 (АЕНВ.431260.423ТУ) на 1 200 000 системных вентилей.

С 2020 года предприятие начинает выпуск новых ПЛИС в корпусе МК 4254.352-1: 5578ТС064 (АЕНВ.431260.402ТУ) и 5578ТС104 (АЕНВ.431260.611ТУ):

• программируемый режим циклической перезаписи конфигурационной памяти;
• встроенная система конфигурирования, обеспечивающая многократное перепрограммирование;
• программируемый режим верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния;
• программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем состоянии.

ПЛИС 5578ТС064 – для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТ035, ёмкостью 16 Мбит, производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».

ПЛИС 5578ТС104 – для конфигурирования ПЛИС рекомендуется использовать однократно программируемую микросхему ПЗУ 5578РТ044, ёмкостью 24 Мбит, производства АО «КТЦ «ЭЛЕКТРОНИКА».

Основные характеристики новых ПЛИС представлены в таблице.

Для проектирования используется САПР Quartus II и дополнительно ПО разработки и производства АО «КТЦ ЭЛЕКТРОНИКА».

Для всей номенклатуры выпускаемых АО «ВЗПП-С» ПЛИС имеются комплекты инструментов, необходимых для разработчика.

Для всей номенклатуры, выпускаемых АО «ВЗПП-С» ПЛИС, имеются комплекты инструментов, необходимых для разработчика.

Разработаны и освоены в производстве новые типы быстровосстанавливающихся диодов, диодов Шоттки, транзисторных сборок, предназначенных для работы в мощных источниках питания, преобразователях напряжения и других узлах и блоках аппаратуры специального применения. Рабочая температура изделий от минус 60 °С до 125 °С.

Мощный быстровосстанавливающийся диод cо сверхмалым временем обратного восстановления 2ДВ101А
Ближайший аналог: 80EBU02
Диоды изготавливаются в металлопластмассовом корпусе КТ-115.
Основные характеристики:

• U_{обр макс} = 200В;
• I_{пр, ср макс} = 80А;
• t_{вос. обр} = 35 нс.

Диоды Шоттки (диодная сборка) с повышенной устойчивостью к СВВФ 2ДШ201АС9
Ближайший аналог: 35CGQ150
Диодная сборка изготавливается в металлокерамическом корпусе КТ-94 (SMD-1)
Основные характеристики:

• U_{обр макс} = 150В;
• I_{пр, ср макс} = 17,5А.

Диоды Шоттки (диодные сборки) с повышенной устойчивостью к СВВФ 2ДШ202АС, 2ДШ202АС9, 2ДШ202БС, 2ДШ202БС9
Ближайшие аналоги: 15CGQ100, 15CLQ100, 12CLQ150, 35CGQ150
Диодные сборки изготавливаются в металлокерамических корпусах КТ-94 (SMD-1), КТ-28А-2.02.
Основные характеристики:

• U_{обр макс} = 100-150В;
• I_{пр, ср макс} = 15А;
• f = 500кГц.

Транзисторные сборки 2ПЕ101АС9 (два n-канальных полевых транзисторов), 2ПЕ102АС9 (два p-канальных полевых транзисторов), 2ПЕ103АС9 (комплементарная пара n- и p-канальных полевых транзисторов)
Ближайший аналог: IRF7350 фирмы IR, США
Транзисторные сборки изготавливаются металлокерамическом корпусе типа 5205.8-1 (аналог по посадочному месту корпуса типа SO-8)
Основные характеристики:

• U_СИmax = 100В
• I_C.max = 2,1А (n-канальный транзистор)/|-1,5| (р-канальный транзистор)
• R_{си откр} = 0,21 Ом (n-канальный транзистор)/0,48 Ом (р-канальный транзистор)

Разработана и освоена в производстве серия двухканальных драйверов нижнего плеча для управления силовыми транзисторами 1347АП1P, 1347АП1У, 1347АП2Р, 1347АП2У, 1347АП3P, 1347АП3У
Ближайшие аналоги: IR4427, IR4428, IR4426
ИМС серии 1347 являются двухканальными драйверами нижнего плеча для управления силовыми МОП-транзисторами и БТИЗ (IGBT), изготавливаются в следующих металлокерамических корпусах типа МК5205.8-2, МК 2101.8-7
Основные характеристики микросхем:

• диапазон рабочих температур (-60 − 125) °С;
• диапазон рабочих напряжений (6 − 20) В;
• типовое значение импульсного выходного тока не менее ±3,5А;
• типовое время задержки распространения при включении (выключении) 30нс;
• типовое время нарастания (спада) 15 нс

Нормы на назначения электрических параметров диодов, диодных и транзисторных сборок, драйверов управления транзисторами приведены при нормальной температуре окружающей среды.